Name: IQE013N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 4.2168 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE013N04LM6SCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE013N04LM6SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE013N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE013N04LM6SCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE013N04LM6SCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,35mOhm @ 20A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 51µA
Sarja OptiMOS™ 6	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3800 pF @ 20 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-WHSON-8-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerWDFN