Name: IQE013N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 3.1375 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE013N04LM6SCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE013N04LM6SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE013N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE013N04LM6SCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	14 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE013N04LM6SCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 6
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 51µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3800 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-WHSON-8-1
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN