Name: IPW65R110CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Price: 7.4798 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPW65R110CFDAFKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPW65R110CFDAFKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPW65R110CFDAFKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	31,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	110mOhm @ 12,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 1,3mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3240 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	277,8W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	IPW65R110