Name: IPW65R110CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Price: 8.1826 EUR
Availability: OutOfStock

IPW65R110CFDAFKSA1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 12,61727 €

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 3,83200 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPW65R110CFDAFKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPW65R110CFDAFKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	48 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPW65R110CFDAFKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja CoolMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3240 pF @ 100 V
Pakkaustapa Putki	Tehohäviö (maks.) 277,8W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -40°C – 150°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 31,2A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12,7A, 10V	Päätuotenumero IPW65R110
Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 1,3mA