Name: IPW65R080CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R080CFDFKSA2-ND
Price: 9.7137 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPW65R080CFDFKSA2
DigiKeyn tuotenumero	448-IPW65R080CFDFKSA2-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPW65R080CFDFKSA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 43,3A (Tc) 391W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPW65R080CFDFKSA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 1,8mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 167 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ CFD2	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5030 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 391W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 43,3A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPW65R080
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 17,6A, 10V