Name: IPW65R041CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R041CFDFKSA2-ND
Price: 16.45305 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPW65R041CFDFKSA2
DigiKeyn tuotenumero	IPW65R041CFDFKSA2-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPW65R041CFDFKSA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	48 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 68,5A (Tc) 500W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPW65R041CFDFKSA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 3,3mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ CFD2	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 8400 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 500W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 68,5A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPW65R041
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 41mOhm @ 33,1A, 10V