Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 5.2208 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPT029N08N5ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPT029N08N5ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPT029N08N5ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 108µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6500 pF @ 40 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 168W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 52A (Ta), 169A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero IPT029
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,9mOhm @ 150A, 10V