IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

IPP80N06S4L07AKSA2 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 4 643

Yksikköhinta : 3,07000 €

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 214

Yksikköhinta : 3,21000 €

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 21

Yksikköhinta : 4,29000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 629

Yksikköhinta : 2,50000 €

Parametrisesti vastaava

Rochester Electronics, LLC

Varastossa: 3 692

Yksikköhinta : 0,49230 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP80N06S4L07AKSA2
DigiKeyn tuotenumero	IPP80N06S4L07AKSA2-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP80N06S4L07AKSA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	6,7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 40µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5680 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	79W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3-1
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IPP80N