Name: IPP65R099CFD7AAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Price: 6.9527 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP65R099CFD7AAKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP65R099CFD7AAKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP65R099CFD7AAKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja CoolMOS™ CFD7A	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2513 pF @ 400 V
Pakkaustapa Putki	Tehohäviö (maks.) 127W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -40°C – 150°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 24A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 99mOhm @ 12,5A, 10V	Päätuotenumero IPP65R099
Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 630µA