Name: IPP60R080P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R080P7XKSA1-ND
Price: 6.78955 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP60R080P7XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP60R080P7XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP60R080P7XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	35 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP60R080P7XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 590µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2180 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 129W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 37A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPP60R080
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 11,8A, 10V