Name: IPP048N12N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP048N12N3GXKSA1-ND
Price: 6.6264 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP048N12N3GXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPP048N12N3GXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP048N12N3GXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP048N12N3GXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 230µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 182 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 12000 pF @ 60 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 300W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 120 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPP048
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,8mOhm @ 100A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 121

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki