Name: IPP039N10N5AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP039N10N5AKSA1-ND
Price: 6.26245 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP039N10N5AKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPP039N10N5AKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP039N10N5AKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 100A (Tc) 188W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP039N10N5AKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 125µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 7000 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 188W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero IPP039
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,9mOhm @ 50A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 133

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki