Name: IPP022N12NM6AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP022N12NM6AKSA1-ND
Price: 7.46725 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP022N12NM6AKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP022N12NM6AKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP022N12NM6AKSA1
Kuvaus	TRENCH >=100V
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 29A (Ta), 203A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP022N12NM6AKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,2mOhm @ 100A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,6V @ 275µA
Sarja OptiMOS™ 6	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 141 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 11000 pF @ 60 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 395W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 120 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 29A (Ta), 203A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 8V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3