IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

IPN80R900P7ATMA1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Varastossa: 363

Yksikköhinta : 1,60000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPN80R900P7ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPN80R900P7ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-SOT223
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPN80R900P7ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 110µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 350 pF @ 500 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 7W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus PG-SOT223
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 6A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-261-4, TO-261AA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPN80R900
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2,2A, 10V