Name: IPN80R3K3P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND
Price: 1.1044 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPN80R3K3P7ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPN80R3K3P7ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 1,9A (Tc) 6,1W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-SOT223
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPN80R3K3P7ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 30µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 120 pF @ 500 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 6,1W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus PG-SOT223
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 1,9A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-261-4, TO-261AA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPN80R3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,3Ohm @ 590mA, 10V