Name: IPI076N12N3GAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI076N12N3GAKSA1-ND
Price: 4.12895 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPI076N12N3GAKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPI076N12N3GAKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPI076N12N3GAKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO262-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPI076N12N3GAKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 130µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 101 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6640 pF @ 60 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 188W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 120 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO262-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-262-3 pitkät jalat, I2PAK, TO-262AA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPI076
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 7,6mOhm @ 100A, 10V