Name: IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND
Price: 2.5602 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPG20N10S4L22AATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPG20N10S4L22AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPG20N10S4L22AATMA1
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 100V 20A 60W Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna PG-TDSON-8-10
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPG20N10S4L22AATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	Logiikkatasoportti
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	20A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,1V @ 25µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	27nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1755pF @ 25V
Teho - maksimi	60W
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-10
Päätuotenumero	IPG20N