Name: IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1TR-ND
Price: 22.1131 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPDQ65R017CFD7AXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Kuvaus	AUTOMOTIVE_COOLMOS
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-22-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPDQ65R017CFD7AXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 3,08mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 236 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 12338 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 694W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -40°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 136A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Valmistajan laitepakkaus PG-HDSOP-22-1
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 61,6A, 10V	Pakkaus / kotelo 22-PowerBSOP-moduuli