Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND
Price: 2.8614 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD90R1K2C3ATMA2
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD90R1K2C3ATMA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 900 V 5,1A (Tc) 83W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD90R1K2C3ATMA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 310µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 710 pF @ 100 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 83W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 900 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5,1A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPD90
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,2Ohm @ 2,8A, 10V