Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND
Price: 2.29665 EUR
Availability: InStock

IPD90R1K2C3ATMA2
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD90R1K2C3ATMA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 900 V 5,1A (Tc) 83W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD90R1K2C3ATMA2 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Ei uusiin suunnitelmiin
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	900 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5,1A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,2Ohm @ 2,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 310µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	710 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	83W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD90

Määrä	Yksikköhinta	Yhteensä
2 500	0,52493 €	1 312,33 €
5 000	0,49323 €	2 466,15 €

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	1,83000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	2,29665 €

IPD90R1K2C3ATMA2