Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 2.04565 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD80R2K7C3AATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD80R2K7C3AATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Kiinnitys pintaan
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD80R2K7C3AATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,7Ohm @ 1,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,9V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	290 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	42W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252AA (DPAK)
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD80R2