Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 2.59785 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD80R2K7C3AATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD80R2K7C3AATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Kiinnitys pintaan
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD80R2K7C3AATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja CoolMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 290 pF @ 100 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 42W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -40°C – 150°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA (DPAK)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,7Ohm @ 1,2A, 10V	Päätuotenumero IPD80R2
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,9V @ 250µA