Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 2.42215 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD80R1K4CEATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD80R1K4CEATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD80R1K4CEATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,9V @ 240µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 570 pF @ 100 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 63W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 3,9A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPD80R1
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,4Ohm @ 2,3A, 10V