Name: IPD80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 1.6817 EUR
Availability: InStock

IPD80R1K2P7ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD80R1K2P7ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 4,5A (Tc) 37W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD80R1K2P7ATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™ P7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,2Ohm @ 1,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 80µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	300 pF @ 500 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	37W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD80R1

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	1,34000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	1,68170 €

IPD80R1K2P7ATMA1