Name: IPD80R1K0CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K0CEATMA1TR-ND
Price: 2.7108 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD80R1K0CEATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD80R1K0CEATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD80R1K0CEATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,9V @ 250µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ CE	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 785 pF @ 100 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 83W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 5,7A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPD80R1
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3,6A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
TK5P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	2 000	TK5P60WRVQTR-ND	0,87298 €	Samankaltainen
TSM60NB900CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	1 975	TSM60NB900CPROGCT-ND	1,98000 €	Samankaltainen