Name: IPD65R420CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R420CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.89905 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD65R420CFDAATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD65R420CFDAATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD65R420CFDAATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD65R420CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD65R420CFDAATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 8,7A (Tc) 83,3W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD65R420CFDAATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	420mOhm @ 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 345µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	870 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	83,3W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD65R420