Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R950C6ATMA1TR-ND
Price: 2.04565 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD60R950C6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD60R950C6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD60R950C6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD60R950C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD60R950C6ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 4,4A (Tc) 37W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD60R950C6ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 130µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ C6	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 280 pF @ 100 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 37W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 4,4A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPD60R
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1,5A, 10V