Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 2.3343 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD60N10S4L12ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-313
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD60N10S4L12ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±16V
Sarja HEXFET®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3170 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 94W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3-313
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V	Päätuotenumero IPD60N10
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,1V @ 46µA