Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 2.22135 EUR
Availability: InStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD60N10S4L12ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	9 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-313
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD60N10S4L12ATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	HEXFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,1V @ 46µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3170 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	94W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3-313
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD60N10

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	1,77000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	2,22135 €

IPD60N10S4L12ATMA1