Name: IPD50N03S4L06ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND
Price: 1.49345 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD50N03S4L06ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT)
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD50N03S4L06ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-11
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD50N03S4L06ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±16V
Sarja OptiMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2330 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT)	Tehohäviö (maks.) 56W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 50A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3-11
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5,5mOhm @ 50A, 10V	Päätuotenumero IPD50
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 20µA

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 7 043

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT)

Rullattu teippi (TR)