Name: IPD50N03S4L06ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND
Price: 1.36795 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD50N03S4L06ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT)
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD50N03S4L06ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Valmistajan vakio toimitusaika	9 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-11
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD50N03S4L06ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT)
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 20µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2330 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	56W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3-11
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD50