Name: IPD30N10S3L34ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD30N10S3L34ATMA2TR-ND
Price: 2.6606 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD30N10S3L34ATMA2
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD30N10S3L34ATMA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD30N10S3L34ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD30N10S3L34ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD30N10S3L34ATMA2
Kuvaus	MOSFET_(75V 120V(
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-11
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD30N10S3L34ATMA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1976 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 57W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 30A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3-11
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,4V @ 29µA