Name: IPD30N06S2L23ATMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND
Price: 2.44725 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD30N06S2L23ATMA3
DigiKeyn tuotenumero	IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND - Cut Tape (CT) IPD30N06S2L23ATMA3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD30N06S2L23ATMA3
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-11
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD30N06S2L23ATMA3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja OptiMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1091 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 100W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 55 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 30A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3-11
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 23mOhm @ 22A, 10V	Päätuotenumero IPD30N06
Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 50µA