Name: IPD082N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD082N10N3GATMA1TR-ND
Price: 2.8614 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD082N10N3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD082N10N3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD082N10N3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD082N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD082N10N3GATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD082N10N3GATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 75µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3980 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 125W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO252-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 80A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero IPD082
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,2mOhm @ 73A, 10V