Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 0.48945 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPC50N04S55R8ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPC50N04S55R8ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-33
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPC50N04S55R8ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,4V @ 13µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1090 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	42W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-33
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	IPC50N