Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 4.8694 EUR
Availability: InStock

IPB80N06S2H5ATMA2 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 842

Yksikköhinta : 5,08000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB80N06S2H5ATMA2
DigiKeyn tuotenumero	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB80N06S2H5ATMA2
Kuvaus	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB80N06S2H5ATMA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja OptiMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4400 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 300W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 55 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 80A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3-2
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5,2mOhm @ 80A, 10V	Päätuotenumero IPB80N
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 230µA