Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 6.58875 EUR
Availability: InStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

IPB65R110CFDAATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB65R110CFDAATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB65R110CFDAATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	31,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	110mOhm @ 12,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 1,3mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3240 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	277,8W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IPB65R110

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	5,25000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	6,58875 €

IPB65R110CFDAATMA1