IPB65R095C7ATMA1 on loppunut, eikä siitä voi tällä hetkellä tehdä jälkitilausta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Suora


Infineon Technologies
Varastossa: 1 216
Yksikköhinta : 5,38000 €
Tekniset tiedot

Suora


Infineon Technologies
Varastossa: 2 138
Yksikköhinta : 6,62000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R095C7ATMA1

DigiKeyn tuotenumero
IPB65R095C7ATMA1-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IPB65R095C7ATMA1
Kuvaus
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 590µA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Sarja
Vgs (maks.)
±20V
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Osan tila
Valmistus lopetettu DigiKeyllä
Tehohäviö (maks.)
128W (Tc)
FET-tyyppi
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Teknologia
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO263-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Pakkaus / kotelo
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Päätuotenumero
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 11,8A, 10V
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Korvaa (2)
OsanumeroValmistaja Saatavana oleva määräDigiKeyn tuotenumero Yksikköhinta Korvaava tyyppi
IPB60R080P7ATMA1Infineon Technologies1 216IPB60R080P7ATMA1CT-ND5,38000 €Suora
IPB65R095C7ATMA2Infineon Technologies2 138IPB65R095C7ATMA2CT-ND6,62000 €Suora
Varastossa: 0
Koska tuotteen saanti on tilapäisesti rajoitettua, jälkitilaukset eivät ole mahdollisia eikä toimitusaikaa ole tällä hetkellä saatavilla. Näytä Korvaavat osat.