Name: IPB120N04S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB120N04S402ATMA1TR-ND
Price: 3.7148 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB120N04S402ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB120N04S402ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB120N04S402ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB120N04S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB120N04S402ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB120N04S402ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 134 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja OptiMOS™	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 10740 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 158W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 120A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,8mOhm @ 100A, 10V	Päätuotenumero IPB120
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 110µA