Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 9.92705 EUR
Availability: OutOfStock

IPB110N20N3LFATMA1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Varastossa: 3 815

Yksikköhinta : 6,43000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB110N20N3LFATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB110N20N3LFATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB110N20N3LFATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,2V @ 260µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 3	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 650 pF @ 100 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 250W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 88A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPB110
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V