Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 8.04455 EUR
Availability: InStock

IPB110N20N3LFATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB110N20N3LFATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB110N20N3LFATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 3
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Viimeinen ostohetki
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	88A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,2V @ 260µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	650 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	250W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IPB110

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	6,41000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	8,04455 €

IPB110N20N3LFATMA1