Name: IPB095N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.8774 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB095N20NM6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPB095N20NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPB095N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB095N20NM6ATMA1
Kuvaus	IPB095N20NM6ATMA1
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 13A (Ta), 116A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3-U01
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB095N20NM6ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,7mOhm @ 62A, 15V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 186µA
Sarja OptiMOS™ 6	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5500 pF @ 100 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13A (Ta), 116A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3-U01
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V, 15V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB