Name: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Price: 3.6646 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPAN60R125PFD7SXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPAN60R125PFD7SXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Valmistajan vakio toimitusaika	29 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-FP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPAN60R125PFD7SXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 390µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™PFD7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1503 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 32W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -40°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-FP
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 25A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3, täysi pakkaus
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPAN60
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 7,8A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 6 981

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki