Name: IPA80R900P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA80R900P7XKSA1-ND
Price: 2.259 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPA80R900P7XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPA80R900P7XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPA80R900P7XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 6A (Tc) 26W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-31
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPA80R900P7XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 110µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 350 pF @ 500 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 26W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3-31
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 6A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3, täysi pakkaus
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPA80R900
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2,2A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 2

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki