Name: IMZA65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Price: 18.5991 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZA65R027M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZA65R027M1HXKSA1
Kuvaus	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 59A (Tc) 189W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMZA65R027M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 11mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 63 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -5V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2131 pF @ 400 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 189W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-4-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 59A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-4
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Päätuotenumero IMZA65
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 38,3A, 18V