Name: IMZA120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R040M1HXKSA1-ND
Price: 13.74225 EUR
Availability: OutOfStock

IMZA120R040M1HXKSA1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

G3R40MT12K

GeneSiC Semiconductor

Varastossa: 1 487

Yksikköhinta : 15,26000 €

Tekniset tiedot

Näytä kaikki korvaavat osat ja vertaile niitä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZA120R040M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZA120R040M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZA120R040M1HXKSA1
Kuvaus	SIC DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMZA120R040M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	54,4mOhm @ 19,3A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,2V @ 8,3mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	51 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1620 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	227W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-4-8
Pakkaus / kotelo	TO-247-4