Name: IMZA120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Price: 16.57855 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZA120R022M2HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZA120R022M2HXKSA1
Kuvaus	IMZA120R022M2HXKSA1
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	29mOhm @ 32A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 10,1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	71 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2330 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	329W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-4-8
Pakkaus / kotelo	TO-247-4