Name: IMZ120R060M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZ120R060M1HXKSA1-ND
Price: 14.1564 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZ120R060M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZ120R060M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZ120R060M1HXKSA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Valmistajan vakio toimitusaika	69 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMZ120R060M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 5,6mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1060 pF @ 800 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 150W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-4-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 36A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-4
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Päätuotenumero IMZ120
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 78mOhm @ 13A, 18V