
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKeyn tuotenumero | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
Valmistaja | |
Valmistajan tuotenumero | IMW65R057M1HXKSA1 |
Kuvaus | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Valmistajan vakio toimitusaika | 23 viikkoa |
Asiakkaan referenssi | |
Tarkka kuvaus | N-kanavatyyppi 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41 |
Tekniset tiedot | Tekniset tiedot |
EDA/CAD-mallit | IMW65R057M1HXKSA1 -mallit |
Tyyppi | Kuvaus | Valitse kaikki |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Valm. | ||
Sarja | ||
Pakkaustapa | Putki | |
Osan tila | Aktiivinen | |
FET-tyyppi | ||
Teknologia | ||
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) | 650 V | |
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C | ||
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) | 18V | |
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 16,7A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 5,7V @ 5mA | |
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -2V | |
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds | 930 pF @ 400 V | |
FET-ominaisuus | - | |
Tehohäviö (maks.) | 133W (Tc) | |
Toimintalämpötila | -55°C – 175°C (TJ) | |
Luokka | - | |
Hyväksyntä | - | |
Asennustyyppi | Läpivientiaukko | |
Valmistajan laitepakkaus | PG-TO247-3-41 | |
Pakkaus / kotelo | ||
Päätuotenumero |
| Määrä | Yksikköhinta | Yhteensä |
|---|---|---|
| 1 | 6,86000 € | 6,86 € |
| 30 | 3,98867 € | 119,66 € |
| 120 | 3,35850 € | 403,02 € |
| 510 | 3,05155 € | 1 556,29 € |
| Yksikköhinta ilman ALV-veroa: | 6,86000 € |
|---|---|
| Yksikköhinta ALV-veron kanssa: | 8,60930 € |







