Name: IMW120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R220M1HXKSA1-ND
Price: 8.92305 EUR
Availability: OutOfStock

IMW120R220M1HXKSA1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Microchip Technology

Varastossa: 129

Yksikköhinta : 7,44000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW120R220M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IMW120R220M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW120R220M1HXKSA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	54 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW120R220M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 1,6mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8.5 nC @ 18 V
Sarja CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 289 pF @ 800 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 75W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-41
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Päätuotenumero IMW120
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 286mOhm @ 4A, 18V