Name: IMT65R075M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Price: 6.08675 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMT65R075M2HXUMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMT65R075M2HXUMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 30A LHSOF-4
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 30A (Tc) 141W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-LHSOF-4-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™ G2
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	95mOhm @ 11,9A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 2,4mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	14.9 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	516 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	141W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-LHSOF-4-1
Pakkaus / kotelo	4-PowerLSFN
Päätuotenumero	IMT65R075