Name: IMT40R036M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R036M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.74335 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMT40R036M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMT40R036M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMT40R036M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMT40R036M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMT40R036M2HXTMA1
Kuvaus	SIC-MOS
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 400 V 7,6A (Ta), 50A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMT40R036M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	400 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7,6A (Ta), 50A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	45,7mOhm @ 11,1A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 4mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	26 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1170 pF @ 200 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 167W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HSOF-8-2
Pakkaus / kotelo	8-PowerSFN