Name: IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R011M2HXTMA1TR-ND
Price: 17.3441 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMT40R011M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMT40R011M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMT40R011M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMT40R011M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMT40R011M2HXTMA1
Kuvaus	SIC-MOS
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 400 V 13,4A (Ta), 144A (Tc) 3,8W (Ta), 429W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMT40R011M2HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 14,4mOhm @ 37,1A, 18V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 13,3mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 85 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3770 pF @ 200 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 429W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 400 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 13,4A (Ta), 144A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8-2
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN