Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 9.2619 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMBG65R107M1HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMBG65R107M1HXTMA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 24A (Tc) 110W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMBG65R107M1HXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 2,6mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 15 nC @ 18 V
Sarja CoolSIC™ M1	Vgs (maks.) +23V, -5V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 496 pF @ 400 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 110W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-7-12
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 24A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Päätuotenumero IMBG65R
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 141mOhm @ 8,9A, 18V