Name: IMBG120R181M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND
Price: 5.7228 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMBG120R181M2HXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IMBG120R181M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG120R181M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMBG120R181M2HXTMA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 14,9A (Tc) 94W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™ G2
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	14,9A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	181,4mOhm @ 3,9A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 1,2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	9.7 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	350 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	94W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-7-12
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Päätuotenumero	IMBG120R181