PG-TO263-7-12
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R026M2HXTMA1

DigiKeyn tuotenumero
448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR)
448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT)
448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IMBG120R026M2HXTMA1
Kuvaus
SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Valmistajan vakio toimitusaika
26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 1200 V 75A (Tc) 335W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-7-12
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
25,4mOhm @ 27,3A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5,1V @ 8,6mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1990 pF @ 800 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
335W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO263-7-12
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 845
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
111,11000 €11,11 €
107,75100 €77,51 €
1006,75530 €675,53 €
* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.
Rullattu teippi (TR)
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
1 0005,51904 €5 519,04 €
Valmistajien vakiokoko
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:11,11000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:13,94305 €