Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 6.94015 EUR
Availability: OutOfStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IGLT65R110B2AUMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IGLT65R110B2AUMA1
Kuvaus	HV GAN DISCRETES
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 15,1A (Tc) 56W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HDSOP-16-9
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolGaN™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (galliumnitridi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	15,1A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	-
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,6V @ 1,36mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	1.52 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	150 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	56W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HDSOP-16-9
Pakkaus / kotelo	16-PowerSOP-moduuli